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項目概況：

創維半導體設計大廈為深圳特區成立30周年十大產業項目之一，于2010年8月24日奠基，建設周期3年。大廈位于深圳市高新技術園南區核心區域，占地面積17025.5平方米，總建設面積124533.62平方米，計容建筑面積為84931.04平方米，建筑樓高99.8米，長171米；其中東、西座地上24層，地下3層；裙樓連接東、西兩座塔樓，地上5層，地下3層；辦公標準樓層柱距為8.4米。

寫字樓大堂高10米，2-5樓標準層高4.5米， 6-24樓標準層高4米，荷載250KG，標準樓層約1628平方米，使用率70%-80%；商業1樓層高5.7米，2-5樓層高4.5米，荷載350KG。

創維半導體設計大廈大廈外墻采用金屬鋁板、玻璃幕墻（采用中空玻璃、隔音、隔熱性能至佳）。停車位726個。

項目問題：我們成立深圳創維半導體設計大廈清洗小組，分析了項目的情況，樓層高，外墻主要材質為玻璃幕墻和裝飾條，清洗難度大。我們分析了大廈的構建情況，作出了清洗計劃。

解決方案：因為樓層高，我們采用分段清洗，采用吊板和擦窗機配合操作，外墻主要是玻璃幕布和裝飾條，使用中性全能清潔劑能達到很好的清潔作用。

項目結束后，創維大廈的物業表示，以后會長期合作，這是對我們專業的最高認可。